硫化镉/石墨烯/TiO2纳米棒阵列的光电化学性能

编号：CPJS05142

篇名：硫化镉/石墨烯/TiO2纳米棒阵列的光电化学性能

作者：张亚萍[1] ;黄承兴[1] ;董开拓[1] ;张志萍[1] ;于濂清[1] ;李焰[2]

关键词：TiO2纳米棒 硫化镉 石墨烯 光电化学性能

机构： [1] 中国石油大学理学院,山东青岛,266580; [2] 中国石油大学机电工程学院,山东青岛,266580

摘要： 采用水热法在掺氟导电玻璃（FTO）上生长TiO_2纳米棒阵列。通过电化学伏安法将氧化石墨烯还原并沉积在TiO_2纳米棒阵列上,再经过化学水浴沉积硫化镉,形成Cd S/石墨烯/TiO_2阵列复合材料。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及X射线能量色散仪对样品的晶型、形貌以及成分进行分析。通过电化学工作站表征样品交流阻抗、开路电位、光电流响应及光化学能转换效率。结果表明,复合材料的电荷转移电阻约是未修饰的TiO_2纳米棒阵列的1/17,光电流比未修饰的TiO_2纳米棒阵列提高约2.5倍,在外加电压为-0.6 V时可达到2.2%。