线缺陷对扶手型石墨烯纳米带能隙的调控

编号：NMJS06352

篇名：线缺陷对扶手型石墨烯纳米带能隙的调控

作者：刘丽丽 ;龙文

关键词： 扶手型石墨烯纳米带 线缺陷 能隙

机构： 首都师范大学物理系,北京100048

摘要： 采用单轨道最近邻紧束缚模型,我们研究了线缺陷的位置、类型和强度对扶手型石墨烯纳米带（AGNRs）能隙的调控.计算结果表明,对于带宽N为3n（n为整数）的半导体AGNRs,加一条位于Ni≠3m-1的两体线缺陷后（N_i为缺陷位置,m为整数）,能隙关闭,纳米带呈金属性;而N=3n＋1的半导体AGNRs关闭能隙的两体线缺陷位置为Ni≠3m-2.对于带宽N=3n＋2的金属性AGNRs,可在Ni≠3m位置处加一条子格线缺陷打开能隙,使纳米带呈半导体性,同时在费米能附近出现一个波速为零的局域态;增加正常原子与缺陷原子之间的交叠积分,可使局域态消失,同时保持半导体性.利用格林函数方法,我们研究了一个两端口有限尺寸AGNRs的电子输运模型,计算了体系在有线缺陷时的透射系数和态密度,结果与能带谱计算结果相一致.