掺杂石墨烯量子点对P3HT：PCBM太阳能电池性能的影响

编号：CPJS05874

篇名：掺杂石墨烯量子点对P3HT：PCBM太阳能电池性能的影响

作者：邹凤君 范思大 谢强 孙洋 孙丽晶 李占国 王丽娟

关键词： 氧化石墨烯 石墨烯量子点 掺杂 P3HT:PCBM 聚合物太阳能电池

机构： 长春工业大学化学工程学院 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 长春工业大学基础科学学院

摘要： 为研究掺杂石墨烯量子点（GQDs）对聚合物电池的影响,采用溶剂热法制备了GQDs,掺杂到聚3-己基噻吩和富勒烯衍生物（P3HT∶PCBM）中作光敏层制备了聚合物太阳能电池。掺杂不同浓度的GQDs后,聚合物电池的开路电压和填充因子都比未掺杂器件高。GQDs掺杂质量分数为0.15%时,形成的掺杂薄膜平整、均匀,填充因子提高了17.42%。GQDs经还原后,随还原时间的延长,填充因子FF增大。到45 min时,电池的FF基本稳定,从31.57%提高至40.80%,提高了29.24%。退火后,获得了最佳的掺杂GQDs的聚合物太阳能电池,开路电压Voc为0.54 V,填充因子FF为55.56%,光电转换效率为0.75%。