3D石墨烯修饰的猛杀威分子印迹电化学传感器的制备

编号：FTJS07032

篇名：3D石墨烯修饰的猛杀威分子印迹电化学传感器的制备

作者：陈晓 谭学才 严军 吴叶宇 李晓宇 张慧 陈全友 冯德芬 金应鑫

关键词： 猛杀威 三维石墨烯 分子印迹电化学传感器

机构： 广西民族大学化学化工学院

摘要： 以猛杀威为模板分子、丙烯酰胺（AM）为功能单体、马来松香丙烯酸乙二醇酯（EGMRA）为交联剂、自制的3D石墨烯（3D-rGO）为增敏材料,在玻碳电极表面合成分子印迹聚合物,制备检测猛杀威的分子印迹电化学传感器。运用扫描电镜（SEM）对自制3D石墨烯的形貌进行了表征,通过循环伏安法（CV）、差分脉冲伏安法（DPV）和交流阻抗法（EIS）对猛杀威传感器的性能进行了研究。结果表明,猛杀威的浓度在8.0×10^-8~8.0×10^-6mol/L范围内与响应电流值呈良好的线性关系,线性相关系数R=0.9954,检出限为7.3×10^-8mol/L（S/N=3）,猛杀威分子印迹敏感膜的印迹因子β=3.88,且相对于3种结构类似物的选择因子α〉〉1,说明此传感器具有良好的选择性。将此传感器应用于生菜样品检测,加标回收率在96.7%~98.7%之间。