基于石墨烯-ZnO纳米线的复合电极在GaN LED中的应用

编号：CPJS06133

篇名：基于石墨烯-ZnO纳米线的复合电极在GaN LED中的应用

作者：许坤 王一帆 解意洋 丁佩 杜银霄

关键词： 氧化锌 氮化镓LED 石墨烯 透明导电层

机构： 郑州航空工业管理学院理学院 国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心 北京工业大学电控学院

摘要： 使用一维ZnO纳米线和二维石墨烯复合结构集成到p-GaN表面来同时实现电流扩展和提高LED光提取效率。通过两组有无ZnO纳米线器件的对比,发现ZnO纳米线使器件的光提取效率提高了30%.通过分析两组器件的开启电压、工作电压和反向漏电流等关键参数,验证了本结构应用于GaN LED不会恶化其电性能。本文所采用的复合结构用于GaN LED,同时达到了良好欧姆接触、避免使用ITO和增强出光的效果。