石墨烯改性PDC-SiCNO陶瓷的制备及其介电性能

编号：CPJS06576

篇名：石墨烯改性PDC-SiCNO陶瓷的制备及其介电性能

作者：余煜玺 夏范森 黄奇凡

关键词： 聚合物先驱体陶瓷 石墨烯 电学性能 制备

机构： 厦门大学材料学院材料科学与工程系福建省特种先进材料重点实验室

摘要： 以聚乙烯基硅氮烷(PVSZ)为原料,氧化石墨烯(GO)为碳源,无水乙醇(ETOH)为分散剂,制备石墨烯球增强SiCNO陶瓷(SiCNO-GO)。利用拉曼光谱(Raman)、电子自旋共振(EPR)和扫描电子显微镜(SEM)等表征手段,研究SiCNO-GO陶瓷结构对其介电性能的影响。结果表明:SiCNO-GO陶瓷的微球密度和粒径的大小与GO的含量有关;随着SiCNO-GO陶瓷中GO含量的增加,SiCNO-GO陶瓷的介电常数和介电损耗也随之增大,在GO含量为0.1%(质量分数)时达到最大值,而当GO质量分数为0.3%时,SiCNO-GO陶瓷的介电常数和介电损耗降低。