石墨烯在GaN表面的直接制备及其在GaN-LED中的应用研究

编号：NMJS07346

篇名：石墨烯在GaN表面的直接制备及其在GaN-LED中的应用研究

作者：樊星 郭伟玲 熊访竹 董毅博 王乐 符亚菲 孙捷

关键词： 石墨烯 化学气相沉积 直接生长 GaN-LED

机构： 北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室 福州大学场致发射国家地方联合工程实验室

摘要： 石墨烯具有优良的光电特性,它能够替代传统的ITO材料用作GaN-LED的透明导电层。为了使上述应用实现工业化生产,利用热壁CVD研究了石墨烯在GaN表面直接生长的最佳条件,解释了直接生长的机理,直接生长的最佳条件为生长温度800℃,生长时间60 min,CH4和H2的分压比分别为1.59%和3.17%,该条件下得到具有明显2D峰的多层石墨烯。利用冷壁CVD研究了石墨烯在GaN表面的低温生长并制造了相应的GaN-LED,测试了其性能,结果表明生长温度高于700℃时器件的性能明显降低。该研究对实现石墨烯在LED中的工业化应用具有积极意义。