高响应度光电检测器件石墨烯-MoS2垂直异质结的制备

编号：FTJS08789

篇名：高响应度光电检测器件石墨烯-MoS2垂直异质结的制备

作者：姚杰 缪鑫 王帅 顾嫣芸 高铭良 万茜

关键词： 材料 光电探测器 石墨烯-MoS2垂直异质结 MoS2 石墨烯 二维材料

机构： 江南大学物联网工程学院

摘要： 石墨烯(Gr)及其他类石墨烯的二维(2D)材料,包括六方氮化硼(h-BN)、过渡金属硫族化合物(TMDCs)等,自发现以来便以其独特的物理性质受到了研究人员的青睐。由这些二维层状材料相互堆叠形成的范德瓦尔斯异质结(vdW)因具有很多优异的性质而成为最近的研究热点。本课题组首先制备了大面积、高质量的单层石墨烯及二硫化钼(MoS2),然后将石墨烯薄膜利用光刻及等离子体刻蚀技术制作成石墨烯条带,最后将MoS2转移至石墨烯条带上构成石墨烯-MoS2垂直异质结(Gr-MoS2)。测试后发现,基于Gr-MoS2垂直异质结的光电探测器的光电流为单层MoS2器件的250倍,光响应度为单层MoS2器件的750倍。光电性能的提高证明了这种由石墨烯和MoS2堆叠而成的异质结在将来的光电器件及光电子集成电路中具有广阔的应用前景。