不同极性6H-SiC表面石墨烯的制备及其电子结构的研究

编号：CPJS00855

篇名：不同极性6H-SiC表面石墨烯的制备及其电子结构的研究

作者：康朝阳; 唐军; 李利民; 潘海斌; 闫文盛; 徐彭寿; 韦世强; 陈秀芳; 徐现刚;

关键词：石墨烯; 6H-SiC; 同步辐射; 电子结构;

机构： 中国科学技术大学国家同步辐射实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室;

摘要： 在超高真空设备中,采用高温退火的方法在6H-SiC两个极性面(0001)和(0001-)面(即Si面和C面)外延石墨烯(EG).利用低能电子衍射(LEED)和同步辐射光电子能谱(SRPES)对样品的生长过程进行了原位研究,而后利用激光拉曼光谱(Raman)和近边X射线吸收精细结构(XANES)等实验技术对制备的样品进行了表征.结果表明我们在两种极性面均制备出了质量较好的石墨烯样品.而有关两种石墨烯的对比性研究发现:Si面EG呈同一取向而C面EG呈各向异性;Si面EG与衬底存在类似于金刚石C—sp3键的界面相互作用,受到衬底的影响较大,而C面EG与衬底的相互作用较弱,受到衬底的影响较小.