中国粉体网讯  中科院上海微系统与信息技术研究所日前发布信息称，该所超导实验室石墨烯课题组在国际上首次通过引入气态催化剂的方法，实现了石墨烯单晶在六角氮化硼表面的高取向、快速生长，标志着我国在制备石墨烯单晶的研究中再获重要突破。该方法为在介质衬底上制备高质量石墨烯单晶薄膜提供全新的思路和技术方案，具有可观的产业化应用前景。

　　据该所王浩敏研究员介绍，自2011年起，上海微系统所石墨烯团队就开始开展在六方氮化硼衬底上外延生长石墨烯单晶，及其结构和性能表征工作，并取得了一系列成果。他们在前期掌握石墨烯形核控制、确定单晶和衬底取向关系的基础上，以乙炔为碳源，创新性地引入硅烷作为催化剂，通过化学气相外延的方法制备晶畴尺寸超过20微米的石墨烯单晶，生长速率较之前文献报道的提高了两个数量级，使气相催化在石墨烯制备上迈出了一大步。

　　王浩敏研究员告诉记者，在六角氮化硼这类电介质表面直接生长石墨烯单晶，一直是横亘在整个石墨烯研究领域的一项巨大难题，他们研究开发的气态催化方法突破了这一难题，在国际同行中处于领先位置，目前已经申请专利。