石墨烯包裹Cu2+1O/Cu复合材料的制备及其储锂性能

编号：CPJS01831

篇名：石墨烯包裹Cu2+1O/Cu复合材料的制备及其储锂性能

作者：田雷雷； 魏贤勇； 庄全超； 宗志敏； 孙世刚

关键词：石墨烯； 氧化亚铜； 半导体； 异质结； 锂离子电池； 电子输运

机构： 中国矿业大学化工学院； 中国矿业大学材料科学与工程学院； 固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学化工学院化学系

摘要： 半导体的能级结构和金属-半导体异质结的结构及性质对金属-半导体复合材料的导电性能具有重要影响.优化半导体相的能级结构和金属-半导体接触界面的势垒是增强金属-半导体型复合电极材料导电能力,提高复合电极材料储锂性能的重要途径.采用水热反应-原位热还原法制备石墨烯包覆Cu2+1O/Cu复合材料.根据SEM和XRD研究结果,Cu2+1O(金属过剩型Cu2O)和Cu复合体被均匀包裹在柔性石墨烯层中.充放电结果表明,石墨烯包裹Cu2+1O/Cu复合材料电极具有较高的充放电容量和优异的循环性能,50 mA g-1充放电的首周充电和放电比容量分别为773和438 mA h g-1,60周的容量保持率为84%;同时也具有很好的倍率性能,表明石墨烯包裹Cu2+1O/Cu复合材料具有良好的金属-半导体异质结界面的结构和优异的导电性能.