应变对石墨型B3N4几何与电子结构的影响

编号：FTJS04155

篇名：应变对石墨型B3N4几何与电子结构的影响

作者：高本领；

关键词：密度泛函理论； 石墨型B3N4； 稳定性； 导体；

机构： 淮阴工学院数理学院； 南京大学物理学院；

摘要： 通过密度泛函理论研究了非磁状态下应变对石墨型B3N4(g-B3N4)几何与电子结构的影响:结果发现g-B3N4结构具有较高的稳定性,是性能良好的导体,导电电荷主要是N中P电子贡献;随着材料由压缩到拉伸,材料的导电能力变弱,暗示了又一无金属元素导体材料gB3N4的可靠存在。