化学氧化法制备可膨胀石墨过程中的电位控制

编号：FTJS04167

篇名：化学氧化法制备可膨胀石墨过程中的电位控制

作者：陈雅萍； 李舒艳； 罗瑞盈； 吕晓猛； 王煊军；

关键词：可膨胀石墨； 制备； 氧化还原电位；

机构： 北京航空航天大学物理科学与核能工程学院； 西安高新技术研究所

摘要： 以高锰酸钾、硫酸、天然鳞片石墨为原料,采用化学氧化法制备可膨胀石墨。通过调控体系初始氧化还原电位,并结合其膨胀容积值,探讨石墨氧化的最佳电位区间,采用扫描电镜及X射线衍射仪对样品进行表征。结果表明,当体系初始氧化还原电位为1340~1810mV时,能够获得平均膨胀容积大于230mL/g,最高300mL/g的可膨胀石墨,扫描电镜及X射线衍射结果证实了此区间的合理性。此法避免了传统化学氧化法通过复杂正交实验来确定最佳工艺的弊端,可为实现可膨胀石墨制备的自动化和工业化生产提供重要的理论依据。