衬底对CVD生长石墨烯的影响研究

编号：FTJS04173

篇名：衬底对CVD生长石墨烯的影响研究

作者：张玮； 满卫东； 涂昕； 林晓棋；

关键词：石墨烯； 化学气相沉积； 衬底； 生长机理；

机构： 武汉工程大学 湖北省等离子体化学与新材料重点实验室；

摘要： 石墨烯有独特的结构和优异的性能,在电子、信息、能源、材料和生物医药等领域都有着广阔的应用前景。为了更好的应用这种新型材料,如何大规模可控合成高质量石墨烯是一个必须克服的困难。相比与机械剥离法、化学氧化还原法和碳化硅表面外延生长法,化学气相沉积法(CVD)因其可以生长大面积高质量连续石墨烯膜而倍受关注。基于石墨烯的生长机理,从衬底材料的角度,综述了近几年衬底对CVD生长石墨烯的影响的研究进展。展望了衬底选择的发展新趋势。