Bi,Se和Te吸附n/p型石墨烯电子结构研究

编号：NMJS05341

篇名：Bi,Se和Te吸附n/p型石墨烯电子结构研究

作者：戴宪起； 王宁； 赵宝； 赵旭；

关键词：石墨烯； 拓扑绝缘体； 吸附； 掺杂； Bi； Se； Te；

机构： 河南师范大学物理与电子工程学院； 郑州师范学院物理与电子科学系； 复旦大学物理学系；

摘要： 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Bi,Se,Te在缺陷(单空位,B掺杂和N掺杂)石墨烯上的吸附结构及电子和磁性质.研究表明:在能量稳定的Bi(Se)/石墨烯吸附体系中,Bi吸附诱导产生磁性;在空位缺陷石墨烯上的吸附会改变费米能级处态密度分布,影响体系的导电性质;在B(N)掺杂吸附体系中,B比N对吸附原子的影响大;除Se在B掺杂石墨烯上吸附外,Bi,Se,Te在其它n/p型掺杂吸附体系中均显示磁性.缺陷增强了Bi,Se,Te与石墨烯之间的相互作用,对吸附体系的电子结构和电荷分布有较大的影响.