利用石墨烯掺杂在NPB中的OLED性能研究

编号：NMJS05442

篇名：利用石墨烯掺杂在NPB中的OLED性能研究

作者：高永慧； 张刚； 汪津； 姜文龙； 高欣； 薄报学；

关键词：石墨烯； 有机电致发光器件(OLED)； 效率； 亮度；

机构： 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室； 吉林师范大学信息技术学院,功能材料物理与化学教育部重点实验室；

摘要： 采用NPB掺杂石墨烯作为空穴传输层,制备有机电致发光器件(OLED),器件结构为ITO/NPB:Graphene(20wt.%)(50nm)/Alq3(80nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。将其与标准器件ITO/NPB(50nm)/Alq3(80nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)作性能比较,研究石墨烯对OLED性能的影响。结果表明,在NPB中掺杂石墨烯薄层的器件,在同等条件下性能最佳,当电流密度为90mA/cm2时器件电流效率达到最大值3.40cd/A,与标准器件最高效率相比增大1.49倍;亮度在15V时达到最大值10 070cd/m2,比标准器件最大亮度增大5.16倍。