SiC固定模拟放射性石墨的研究

编号：FTJS05676

篇名：SiC固定模拟放射性石墨的研究

作者：赵岭岭； 滕元成； 刘兵； 任雪潭； 易勇； 王山林；

关键词：SiC； 硅； 石墨； 合成；

机构： 西南科技大学四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地；

摘要： 用12C模拟放射性同位素14C,利用物理化学性能优异的SiC固定石墨。以硅粉和石墨粉为原料,采用固相反应法合成SiC,借助X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)等分析手段,研究温度、球磨时间、保温时间等因素对SiC合成的影响。结果表明,硅和石墨直接合成SiC的反应为扩散控制的固相反应,开始反应温度在1230℃以下,较佳合成温度为1330℃;在1300℃合成SiC,球磨对SiC的合成有一定的促进作用;在1270℃以下合成SiC,无气氛保护球磨不利于SiC的合成,煅烧温度越低,负面影响越大;合成SiC的较佳保温时间为1 h。