石墨烯/壳聚糖修饰玻碳电极测定水样中痕量铜离子

编号：FTJS02409

篇名：石墨烯/壳聚糖修饰玻碳电极测定水样中痕量铜离子

作者：方艳红； 连慧婷； 陈国华；

关键词：石墨烯； 壳聚糖； 阳极溶出伏安法； Cu2+；

机构： 华侨大学材料科学与工程学院；

摘要： 采用控制电位电解法,在玻碳电极(GCE)上进行石墨烯(GN)/壳聚糖(CS)修饰膜的电沉积,将制得的膜修饰电极GN/CS/GCE在0.1 mol.L-1的HAc-NaAc电解液(pH=4.2)于-0.5 V(vs.SCE)电位下富集Cu2+,并用差分脉冲溶出伏安法测定.结果表明,该膜修饰电极对Cu2+的富集作用明显强于裸GCE及CS/GCE.在优化实验条件下,Cu2+的浓度在1.0～80.0μmol.L-1范围内与阳极溶出峰电流呈线性关系,相关系数为0.999 6,检出限为12.66 nmol.L-1,所制得的修饰电极具有较高的灵敏度和选择性.