查尔莫斯大学研究人员首次演示了一种采用微波频率的新型分谐波石墨烯场效应晶体管（G-FET）混频器。这种混频器为未来电子器件的发展提供了新的机遇，因为它可以实现紧凑型电路技术，还有可能实现高频率、高集成硅技术。

　　混频器是所有电子系统的一个关键构成部分，这种设备可以把两个或两个以上的电子信号合并成一个或两个复合输出信号。未来可用于太赫兹频率领域，如安全防护。