中国粉体网讯  低维纳米材料由于在发光和电子输运等方面有着丰富的物理特性，得到了广泛关注。日前，北京大学方哲宇、朱星课题组利用石墨烯量子点（GQDs）等离激元实现了对单层MoS2的高效电荷掺杂以及发光光谱的动态调控，相关成果近期发表于《先进材料》。

　　单层danS2是一种直接带隙半导体材料，具有较高的光致荧光发光效率。GQD等离激元的电掺杂效应可以调控单层MoS2中的激子和三激子复合发光。近期已有利用电致掺杂、化学分子掺杂MoS2单层的报道，但仍存在掺杂不易调控、掺杂效率不高等问题，方哲宇等人创新性地制备了GQD/MoS2异质结结构，利用石墨烯量子点的等离激元隧穿效应，实现了一种新的高效光控界面掺杂，并通过拉曼光谱和荧光光谱对其进行了表征和分析，发现掺杂可以对MoS2单层的谷偏振度进行有效调控。

　　这项研究解释了碳基量子点材料和二维材料界面电荷转移过程，为新型低维异质结材料在生物医学传感、微纳电子器件等领域的应用提供了新思路。