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应变对石墨型B3N4几何与电子结构的影响
2013 2014-07-02
编号：FTJS04155
篇名： 应变对石墨型B3N4几何与电子结构的影响
作者： 高本领；
关键词：密度泛函理论； 石墨型B3N4； 稳定性； 导体；
机构：淮阴工学院数理学院； 南京大学物理学院；
摘要： 通过密度泛函理论研究了非磁状态下应变对石墨型B3N4(g-B3N4)几何与电子结构的影响:结果发现g-B3N4结构具有较高的稳定性,是性能良好的导体,导电电荷主要是N中P电子贡献;随着材料由压缩到拉伸,材料的导电能力变弱,暗示了又一无金属元素导体材料gB3N4的可靠存在。
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