编号：CYYJ04569
篇名： 石墨辅助化学刻蚀制备多孔硅及其储锂性能研究
作者： 于海英1,2；贾坤1,2；赵君1,2；张永锋1,2
关键词： 锂离子电池; 多孔硅; 化学刻蚀; 石墨; 催化剂;
机构：1.内蒙古工业大学化工学院2.国家与地方联合工程研究中心—煤基固废高值化利用内蒙古自治区资源循环高等学校重点实验室
摘要： 将原料硅、石墨、溶剂与刻蚀液按一定方式混合对硅进行化学刻蚀制备多孔硅。采用X射线衍射、扫描电镜、BET比表面积测试和电化学测试等手段对产物进行表征。结果表明：在相同的实验条件下，添加石墨比未添加石墨刻蚀的多孔硅刻蚀得更加充分，多孔硅表面的孔洞分布均匀且密集。电化学性能方面与未经刻蚀的纯硅相比，石墨辅助刻蚀制备的多孔硅首次可逆容量2221.7mAh/g；在200mA/g电流密度下50次循环后，容量为524.7mAh/g，容量保持率为23.6%，表明刻蚀后的多孔硅在可逆容量和循环性能方面都较未经刻蚀的硅有明显提升。