退火处理对CVD生长石墨烯薄膜功函数的影响

编号：FTJS106549

篇名：退火处理对CVD生长石墨烯薄膜功函数的影响

作者：姜燕 程振华 宋娟

关键词： 石墨烯 功函数 原子力显微镜 退火 表面接触电势差 化学气相沉积法

机构： 江苏大学材料科学与工程学院

摘要： 通过退火处理去除了石墨烯薄膜上的吸附气体和杂质,改变了石墨烯表面吸附情况.利用原子力显微镜和开尔文扫描探针显微镜,对退火处理前后的石墨烯薄膜表面进行了原位扫描,分别得到其退火前、后的表面形貌和表面接触电势差图.根据表面接触电势差测量结果进一步计算其功函数,并对退火处理导致的功函数变化机理进行分析.结果表明:退火处理使得石墨烯薄膜与SiO2衬底间的水分子层逸出,从而导致石墨烯薄膜与SiO2衬底间距减小,降低了石墨烯薄膜的P型掺杂水平,使得费米能级上升、石墨烯薄膜功函数减小.