用12C模拟放射性同位素14C,利用物理化学性能优异的SiC固定石墨。以硅粉和石墨粉为原料,采用固相反应法合成SiC,借助X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)等分析手段,研究温度、球磨时间、保温时间等因素
2015年11月02日 更新以天然鳞片石墨为原料,HNO3/KMnO4/HClO4为混合氧化剂,冰乙酸CH3COOH(HAc)为插层剂制备可膨胀石墨。确定其最佳反应物用量为:硝酸(mL)∶高锰酸钾(g)∶高氯酸(mL)∶冰乙酸(mL)为3∶1.7∶8∶
2015年10月29日 更新以平均粒径在20~30μm的天然鳞片石墨为原料,浓硝酸为插层剂,高锰酸钾、五氧化二磷为氧化剂,采用混合酸浸渍法氧化插层制备可膨胀石墨,经过微波法得到膨胀石墨。研究了影响微细鳞片石墨插层和膨胀的主要因素,确定制备膨胀石墨的最佳
2015年10月29日 更新采用图像分析方法研究铝用石墨质阴极在不同焙烧温度下孔隙结构特征及其演变,考察孔隙率、孔径分布、形状因子、视孔隙比表面积、连通性等参数的变化规律和孔隙复杂度的分形特征.结果表明:随着焙烧温度增加,孔隙率逐渐增大,而视孔隙比表面
2015年10月29日 更新以氧化石墨烯、SnCl2、H2PtCl6和乙二醇为原料,利用多元醇一步还原法制备高负载量的Pt-Sn/石墨烯催化剂,待反应结束后对反应液加入稀HNO3进行酸处理。通过XRD、ICP、TEM及循环伏安分析不同pH值酸处理下,P
2015年10月29日 更新基于第一性原理方法,计算了氧钝化圆形孔缺陷石墨烯的电磁学特性.根据缺陷碳原子数目(Cn)的不同,圆形孔缺陷石墨烯呈现出了锯齿型(扶手椅型)边界,并且具有反铁磁(顺磁)基态,所有的圆形孔缺陷石墨烯都显现出了半导体性质.氧钝化的
2015年10月29日 更新以10 MW高温气冷实验堆(HTR-10)内的结构石墨IG-11为研究对象,在石墨砖的不同位置沿正交方向取样,在1 900℃下进行退火处理以消除试样内的残余应力,随后对两个正交方向上的试样分别预加载25 MPa和35 MPa
2015年10月29日 更新为提高膨胀石墨的红外/毫米波衰减性能,采用化学镀铜和掺杂二茂铁两种方法对可膨胀石墨进行技术改性,并测量了改性后所制备的膨胀石墨对红外(3~5、8~14μm)、毫米波(3、8 mm)的衰减性能。结果表明:改性后的膨胀石墨比单纯
2015年10月23日 更新采用NPB掺杂石墨烯作为空穴传输层,制备有机电致发光器件(OLED),器件结构为ITO/NPB:Graphene(20wt.%)(50nm)/Alq3(80nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。将其与标准器件IT
2015年10月23日 更新以绿色无毒的柠檬酸三钠为还原剂,通过水浴加热还原氧化石墨和银氨溶液中的银离子制备银-石墨烯纳米复合材料。利用紫外-可见吸收光谱、傅里叶变换红外光谱、显微拉曼光谱、透射电子显微镜对所制备的样品进行表征。结果表明:氧化石墨和银离
2015年10月23日 更新
