二维(2D)石墨烯具有原子层厚度,在电子器件中展示出突破摩尔定律限制的巨大潜力。目前,化学气相沉积(CVD)是一种广泛应用于石墨烯生长的方法,满足低成本、大面积生产和易于控制层数的需求。然而,由于催化金属(例如Cu)衬底一般
2023年12月29日 更新尽管石墨烯薄膜材料表现出优异的电学、光学等物理化学性质,但相较于石墨烯粉体材料,其商业化应用还远未成熟.基于化学气相沉积法,在金属衬底上生长石墨烯薄膜被认为是批量化制备大尺寸石墨烯薄膜的主流路线.其中,在平整的Cu(111)
2023年12月29日 更新HfO2薄膜和石墨烯是用于制作石墨烯场效应晶体管的主要材料,而采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)在HfO2衬底上原位生长石墨烯是极具潜力的一种石墨烯制备方法,这种方法有助于降低石墨烯转移过程对石墨烯质量的影响,从而
2023年12月26日 更新通过化学气相渗透技术,在中间相沥青基石墨泡沫内部沉积了碳化硅涂层;研究了不同沉积温度对碳化硅形貌、晶体结构和强度的影响。结果表明,1223 K可以制备完整的碳化硅涂层,沉积速率较慢,晶粒尺寸较小;温度超过1423 K,易在石
2023年12月25日 更新本文利用等离子体化学气相沉积PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)技术制备了铜基-石墨烯复合薄膜,通过X射线衍射及Raman光谱证实了低温合成的可行性.同时,逐步研究
2023年12月25日 更新通过原位化学气相沉积(CVD)技术,在铜粉上包覆石墨烯,再通过真空热压技术制备出石墨烯/铜合金。研究表明:铜晶粒表面包覆了高质量的石墨烯。在铜粉表面原位生长的石墨烯均匀分散在铜晶粒的晶界处,而且石墨烯的含量低,只占0.04%
2023年12月21日 更新设计了氮掺杂石墨烯负载四种过渡金属单原子催化剂用于CO2RR(金属为Cu、Rh、Ir、Mn),考虑了5种氮配位(N1、N2-1、N2-2、N3和N4),并通过第一性原理研究反应机理。自由能曲线显示Ir-N4具有-0.323e
2023年12月05日 更新石墨相氮化碳(g-C3N4)是一类非金属聚合物半导体材料,具有良好的可见光响应、优异的化学稳定性和可调节的能带结构,在光催化分解水制氢、空气净化、环境修复等领域有着广阔的应用前景.目前,g-C3N4光催化分解水的研究主要聚焦
2023年12月01日 更新碳基材料一直被认为是替代贵金属氧还原反应(ORR)催化剂的最有潜力的材料。其中,石墨炔作为一种新的碳同素异形体,由于同时具有sp和sp2杂化的碳原子以及单原子层厚度的二维平面结构,因此在具有碳基材料固有的导电性和稳定性的同时
2023年11月22日 更新废旧锂离子电池中的石墨负极附加价值低,回收后的石墨粉往往含有重金属、有机物等,对环境具有潜在的危害,亟需资源化的回收方法加以利用。经反复充放电后的废旧石墨负极表面含较多的官能团,结构的无序性增加,是良好的除甲醛材料,但其只能
2023年11月17日 更新
